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Presentations

Invited Talks

  • R. Negishi "Restoration and layer-by-layer growth of graphene structures by controlling partial pressure of ethanol vapor through high process temperature" Nanotech Malaysia　（Kuala Lumpur May 7-8, 2018）.

  • 根岸 良太 "単層・多層グラフェン薄膜の合成と物性-エレクトロニクス応用に向けて-" 新学術領域研究　若手研究会（情報通信研究機構 2018年1月5-6日）.

  • 根岸 良太 "単層から多層グラフェン薄膜の科学-合成とその物性-" ナノカーボンワークショップ　（東京理科大学　2017年8月31日）.

  • 根岸 良太、赤堀 誠志、伊藤 孝寛、渡辺 義夫、小林 慶裕“酸化グラフェン薄膜からの高結晶性グラフェン形成とそのバンド伝導” 第64回応用物理学会春季学術講演会 （パシフィコ横浜、2017年 3月17日）決定

  • 根岸 良太”グラフェンの成長技術と物性” ナノ学会　ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム（秋田県、2016年 12月 27日）

  • 根岸 良太 ”放射光分光による還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜の構造とその伝導機構解析”第３６回表面科学学術講演会（名古屋、2016年 11月 29日）

  • 根岸 良太 ”高結晶性グラフェン薄膜の製造技術とバイオセンサー応用”横浜市立大学教室セミナー（横浜、2016年9月 30日）

  • 根岸 良太 ”XAFSによる還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜の構造解析”第４回名大シンクロトロン研究センターシンポジウム（名古屋、2015年 1月 22日）

  • 根岸 良太 ”Restration of graphitic structure in reduced graphene oxide films: Toward biosensor applications”応用物理学会関西支部講演会（阪大、2014年 2月 28日）

  • 根岸 良太 ”エタノール気相化学性長方による酸化グラフェン薄膜の構造改質とバイオセンサー応用”日本物理学会北陸支部特別講演会（北陸先端大、2013年 12月 25日）


Selected presentations【International conference】

  • R. Negishi, M. Matsuzaki, M. Akabori, S. Yamada, T. Ito, Y. Watanabe and Y. Kobayashi “Band-like transport properties of reduced graphene oxide films” 15th International Conference on the Science and Application of Nanotubes, Nagoya, Japan, (June 28- July 2, 2015).

  • R. Negishi, M. Matsuzaki, M. Akabori, S. Yamada and Y. Kobayashi “Improvement of electrical performance in the reduced graphene oxide films prepared by thermal treatment in ethanol vapor toward sensor applications” 27th International Microprocesses and Nanotechnology conference, Fukuoka Japan, (November 4-7, 2014). Oral

  • R. Negishi, T. Murata, J. Takeya and Y. Kobayashi “Fabricating very short channels in organic field effect transistors by dielectrophoresis technique” International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, Japan, (September 9-11, 2014). Oral

  • R. Negishi, M. Matsuzaki, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto and Y. Kobayashi “Efficient suppression of carrier scattering at the interface between reduced graphene oxide flakes ”, JSAP-MRS Joint Symposia Kyoto, Japan (Sep. 16-20, 2013).

  • R. Negishi, K. kuramoto, Y. Ohno, T. Nishino, T. Yamaguchi, K. Maehashi, K. Matsumoto, K. Ishibashi and Y. Kobayashi “Efficient Reduction and Restoration of Graphene oxide films as a Channel in Field Effect Transistor: Toward Sensor applications, International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan, (September 25-27, 2012). Oral

  • R. Negishi, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto, Y. Kobayashi “Carrier transport properties of multilayer graphene with turbostratic structure” 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes, Brisbane, Australia, (June 24-29, 2012).

  • R. Negishi, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto, Y. Kobayashi “Carrier transport properties of turbostratic multilayer graphene grown by chemical vapor deposition” International symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics, Nagoya, Japan, (June 11-13, 2012).

  • R. Negishi, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto, Y. Kobayashi “Transport properties of field effect transistors with a graphene channel prepared by chemical vapor deposition” 24th International Microprocesses and Nanotechnology conference, Kyoto, Japan, (October 24-27, 2011). Oral

  • R. Negishi, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto, Y. Kobayashi “Investigation of the mobilities for field effect transistor with a graphene channel prepared by chemical vapor deposition” International workshop on quantum nanostructures and nanoelectronics, Tokyo, Japan, (October 3-4, 2011).

  • R. Negishi, H. Hirano, Y. Kobayashi, Y. Ohno, K. Maehashi and K. Matsumoto “Thickness control of graphene overlayer via layer-by-layer growth on graphene templates by chemical vapor deposition” The 22th Microprocesses and Nanotechnology Conference, Kokura, Japan, (November 9-12, 2010).

  • R. Negishi, T. Nishino, K. Ishibashi, H. Tanaka and T. Ogawa “Fabrication of superconducting and ferromagnetic nanogap electrodes using a combination of the conventional lithographic and molecular ruler techniques” Micro and Nano Engineering 2009 (MNE09), Ghent, Belgium (September 28 - October 1, 2009).

  • R. Negishi, T. Nishino, T. Yamaguchi and K. Ishibashi “Fabrication of superconducting nanogap electrodes using a combination of self-assembled monolayer and conventional lithographic techniques” Micro and nano Engineering 2008 (MNE08), Athens, Greece (September 15-18, 2008).

  • R. Negishi, T. Hasegawa, H. Tanaka, T. Ebihara, K. Terabe, T. Ogawa and M. Aono, “Correlation between the Geometrical and Electrical Properties of Dodecanethiol-coated Au nanoparticle Placed in the Nanogap Electrodes” 24th European Conference on Surface Science (ECOSS-24), Paris, France (September 4-8, 2006).

  • R. Negishi, T. Hasegawa, H. Tanaka, M. Kundu, K. Terabe, T. Ogawa and M. Aono: Fabrication of Nanogaps using a Combination of Electron Beam Lithographic and Molecular Lithographic Techniques” 23th European Conference on Surface Science (ECOSS-23), Berlin, Germany, (September 4-10, 2005).

  • R. Negishi, T. Hasegawa, T. Nakayama and M. Aono “Development of the 4-Probe Scanning Tunneling Microscopy combined with Scanning Electron Microscope” 13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (IPSPM-13), Sapporo, Japan, (July 3-8, 2005).

  • R. Negishi, M. Suzuki and Y. Shigeta “Electronic structure of the extremely uniform Si nano-islands on Si(111) substrate” 16th International Vacuum Congress (IVC-16) and 12th International Conference on Solid Surfaces (ICSS-12), Venice, Italy, (June 28-July 2, 2004).

  • R. Negishi, M. Suzuki and Y. Shigeta “Photoelectron study for the self-assembled Si nano-islands on Si(111)-(7×7) DAS substrate” 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-07), Nara, Japan, (November 16-20, 2003).

  • R. Negishi and Y. Shigeta “Surface structure and local electronic state of a self-assembled Si nano-island” 11th International Symposium on Surface and Interface (ICSFS-11), Marseille, France, (June 8-12, 2002).

  • R. Negishi and Y. Shigeta “Local structure and electronic state of a nanoscale Si island on Si(111)-7×7 substrate” Yamada Conference LVII, Tsukuba, Japan, (November 15-17, 2001).

  • R. Negishi and Y. Shigeta “Local structure and electronic state of a nanoscale Si island on Si(111)-7´7 substrate” 20th European Conference on Surface Science (ECOSS-20), Krakow, Poland, (September 4-7, 2001).

  • R. Negishi and Y. Shigeta “Surface roughening with growth of Si/Si(111) induced by 30° partial dislocation” 10th International Symposium on Surface and Interface, Nagoya, Japan, (October 17-20, 2000).

  • R. Negishi and Y. Shigeta “Surface roughening induced by a characteristic surface structure formed on growing Si/Si(111) film” 10th International Conference on Solid Films and Surface, New Jersey, USA, (July 9-14, 2000).


Selected presentations【Domestic conference】

  • 根岸 良太、伊藤　孝寛、仲武 昌史、赤堀 誠志、渡辺 義夫、小林 慶裕“酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導機構の起源” 第63回応用物理学会春季学術講演会（東工大大岡山キャンパス、2016年3月21日）

  • 根岸 良太“X線吸収微細構造および光電子分光測定による還元した酸化グラフェン薄膜の電子構造解析～バイオセンサー応用に向けて～” 第11回SSSJ表面科学・SPRUC顕微鏡ナノ合同シンポジウム（兵庫県Spring8、2016年3月15日）

  • 根岸 良太、岡井 誠、伊藤　孝寛、仲武 昌史、渡辺 義夫、小林 慶裕“X線吸収微細構造および光電子分光測定による還元した酸化グラフェン薄膜の電子構造解析” あいちシンクロトロン成果発表会（名古屋ミッドランドホール、2016年3月9日）

  • 根岸 良太、山本 克真、新見 律、福森 稔、田中 啓文、富沢 啓、山口 智弘、小川 琢治、石橋 幸治、小林 慶裕“化学気相成長法による多層グラフェン/グラフェンナノリボン構造の合成と電気伝導特性解析”新学術領域「ハイブリッド量子科学」第二回領域会議（阪大中之島センター、2016年3月3日）

  • R. Negishi, M. Akabori, S. Yamada, T. Ito, Y. Watanabe and Y. Kobayashi “Band-like transport in reduced graphene oxide films” The 48th Fulleren-Nanotubes- graphene General Symposium, Tokyo, Japan, (February 21-23, 2015). Oral

  • 根岸 良太、赤堀 誠志、山田 省二、小林 慶裕　“還元・構造修復に伴う酸化グラフェン薄膜のキャリア伝導機構変化”　第75回応用物理学会秋季学術講演会（札幌 北海道大学、2014年 9月17 - 20日）。口頭発表

  • R. Negishi, M. Matsuzaki and Y. Kobayashi “Development of field effect transistors based biosensor using reduced graphene oxide films as a channel material” The 47th Fulleren-Nanotubes- graphene Satellite Symposium, Nagoya, Japan, (September 2, 2014).

  • 根岸良太、赤堀誠志、村上達也、山田省二、小林慶裕　“ エタノール気相化学成長法により還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜のバンドライク伝導”　第61回応用物理学会関係連合講演会（青山学院大学、2014年3月17-20日）

  • 根岸　良太、高坂　成時、大野　恭秀、前橋　兼三、松本　和彦、小林　慶裕：“還元・構造修復に伴う酸化グラフェンフレーク間のキャリア伝導度向上” 第60回応用物理学会関係連合講演会（神奈川工科大学、2013年3月27-30日）。口頭発表

  • 根岸 良太，倉本 一輝，大野 恭秀，前橋 兼三，松本 和彦，小林 慶裕：“酸化グラフェンデバイスの性能支配要因解析” 第73回応用物理学会学術講演会（愛媛・松山大学、2012年9月11 - 14日）。口頭発表

  • 根岸 良太，大野 恭秀，前橋 兼三，松本 和彦，小林　慶裕：”乱層構造グラフェン電界効果トランジスタのキャリア輸送特性” 第58回応用物理学会関係連合講演会（早稲田大学、2012年3月15-18日）。口頭発表

  • R. Negishi, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Matsumoto, Y. Kobayashi “Electrical transport properties of few layer graphene grown on graphene template by chemical vapor deposition” The 41th Fulleren-Nanotubes-Graphene-graphene General Symposium, Tokyo, Japan, (September 5-7, 2011).

  • R. Negishi, H. Hirano, Y. Kobayashi, Y. Ohno, K. Maehashi and K. Matsumoto “Stacking structure of graphene layers grown on graphene template using the sloped-temperature chemical vapor deposition” The 30th Electronic Materials Symposium, Shiga, Japan, (June 29- July 1, 2011).

  • 根岸 良太，平野 博紀、小林 慶裕，大野 恭秀，前橋 兼三，松本 和彦：”多温度ゾーンCVD法により層状成長したグラフェンの積層構造”第58回応用物理学会関係連合講演会（神奈川工科大学、2011年3月24-27日）。口頭発表

  • 根岸良太、平野 博紀，小林 慶裕，大野 恭秀，前橋 兼三，松本 和彦：“多温度ゾーンCVD法によるグラフェン薄膜成長の温度依存性”第71回応用物理学会学術講演会（長崎大学、2010年9月14-17日）。口頭発表

  • R. Negishi, H. Hirano, Y. Kobayashi, Y. Ohno, K. Maehashi and K. Matsumoto “Layer-by-layer growth mechanism of graphene on graphene templates by chemical vapor deposition” The 39th Fulleren-Nanotubes General Symposium, kyoto, Japan, (September 5-7, 2010).

  • 根岸良太、平野 博紀，小林 慶裕，大野 恭秀，前橋 兼三，松本 和彦：“多温度ゾーンCVD法によるグラフェン層状成長”第57回応用物理学会関係連合講演会（東海大学、2010年3月17-20日）。口頭発表

  • R. Negishi, H. Hirano, Y. Kobayashi, Y. Ohno, K. Maehashi and K. Matsumoto “Raman spectroscopy of few-layer graphene grown on graphene flakes” The 38th Fulleren-Nanotubes General Symposium, Nagoya, Japan, (March 2-4, 2010).

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